Journalartikel
Autorenliste: Aaboud, M.; Aad, G.; Abbott, B.; Abbott, D. C.; Abdinov, O.; Abhayasinghe, D. K.; Abidi, S. H.; AbouZeid, O. S.; Abraham, N. L.; Abramowicz, H.; Abreu, H.; Abulaiti, Y.; Acharya, B. S.; Adachi, S.; Adam, L.; Bourdarios, C. Adam; Adamczyk, L.; Adamek, L.; Adelman, J.; Adersberger, M.; Adiguzel, A.; Adye, T.; Affolder, A. A.; Afik, Y.; Agapopoulou, C.; Agaras, M. N.; Aggarwal, A.; Agheorghiesei, C.; Aguilar-Saavedra, J. A.; Ahmadov, F.; Aielli, G.; Akatsuka, S.; Akesson, T. P. A.; Akilli, E.; Akimov, A., V; Al Khoury, K.; Alberghi, G. L.; Albert, J.; Alconada Verzini, M. J.; Alderweireldt, S.; Aleksa, M.; Aleksandrov, I. N.; Alexa, C.; Alexandre, D.; Alexopoulos, T.; Alhroob, M.; Ali, B.; Alimonti, G.; Alison, J.; Alkire, S. P.; Allaire, C.; Allbrooke, B. M. M.; Allen, B. W.; Allport, P. P.; Aloisio, A.; Alonso, A.; Alonso, F.; Alpigiani, C.; Alshehri, A. A.; Alstaty, M., I; Alvarez Estevez, M.; Gonzalez, B. Alvarez; Alvarez Piqueras, D.; Alviggi, M. G.; Amaral Coutinho, Y.; Ambler, A.; Ambroz, L.; Amelung, C.; Amidei, D.; Amor Dos Santos, S. P.; Amoroso, S.; Amrouche, C. S.; An, F.; Anastopoulos, C.; Andari, N.; Andeen, T.; Anders, C. F.; Anders, J. K.; Andreazza, A.; Andrei, V; Anelli, C. R.; Angelidakis, S.; Angelozzi, I; Angerami, A.; Anisenkov, A., V; Annovi, A.; Antel, C.; Anthony, M. T.; Antonelli, M.; Antrim, D. J. A.; Anulli, F.; Aoki, M.; Aparisi Pozo, J. A.; Bella, L. Aperio; Arabidze, G.; Araque, J. P.; Araujo Ferraz, V; Araujo Pereira, R.; Arce, A. T. H.; Arduh, F. A.; Arguin, J-F; Argyropoulos, S.; Arling, J-H; Armbruster, A. J.; Armitage, L. J.; Armstrong, A.; Arnaez, O.; Arnold, H.; Artamonov, A.; Artoni, G.; Artz, S.; Asai, S.; Asbah, N.; Asimakopoulou, E. M.; Asquith, L.; Assamagan, K.; Astalos, R.; Atkin, R. J.; Atkinson, M.; Atlay, N. B.; Augsten, K.; Avolio, G.; Avramidou, R.; Ayoub, M. K.; Azoulay, A. M.; Azuelos, G.; Baas, A. E.; Baca, M. J.; Bachacou, H.; Bachas, K.; Backes, M.; Backman, F.; Bagnaia, P.; Bahmani, M.; Bahrasemani, H.; Bailey, A. J.; Bailey, V. R.; Baines, J. T.; Bajic, M.; Bakalis, C.; Baker, O. K.; Bakker, P. J.; Gupta, D. Bakshi; Balaji, S.; Baldin, E. M.; Balek, P.; Balli, F.; Balunas, W. K.; Balz, J.; Banas, E.; Bandyopadhyay, A.; Banerjee, Sw; Bannoura, A. A. E.; Barak, L.; Barbe, W. M.; Barberio, E. L.; Barberis, D.; Barbero, M.; Barillari, T.; Barisits, M-S; Barkeloo, J.; Barklow, T.; Barnea, R.; Barnes, S. L.; Barnett, B. M.; Barnett, R. M.; Barnovska-Blenessy, Z.; Baroncelli, A.; Barone, G.; Barr, A. J.; Barranco Navarro, L.; Barreiro, F.; da Costa, J. Barreiro Guimaraes; Bartoldus, R.; Bartolini, G.; Barton, A. E.; Bartos, P.; Basalaev, A.; Bassalat, A.; Bates, R. L.; Batista, S. J.; Batlamous, S.; Batley, J. R.; Battaglia, M.; Bauce, M.; Bauer, F.; Bauer, K. T.; Bawa, H. S.; Beacham, J. B.; Beau, T.; Beauchemin, P. H.; Bechtle, P.; Beck, H. C.; Beck, H. P.; Becker, K.; Becker, M.; Becot, C.; Beddall, A.; Beddall, A. J.; Bednyakov, V. A.; Bedognetti, M.; Bee, C. P.; Beermann, T. A.; Begalli, M.; Begel, M.; Behera, A.; Behr, J. K.; Beisiegel, F.; Bell, A. S.; Bella, G.; Bellagamba, L.; Bellerive, A.; Bellos, P.; Beloborodov, K.; Belotskiy, K.; Belyaev, N. L.; Benary, O.; Benchekroun, D.; Benekos, N.; Benhammou, Y.; Benjamin, D. P.; Benoit, M.; Bensinger, J. R.; Bentvelsen, S.; Beresford, L.; Beretta, M.; Berge, D.; Kuutmann, E. Bergeaas; Berger, N.; Bergmann, B.; Bergsten, L. J.; Beringer, J.; Berlendis, S.; Bernard, N. R.; Bernardi, G.; Bernius, C.; Bernlochner, F. U.; Berry, T.; Berta, P.; Bertella, C.; Bertoli, G.; Bertram, I. A.; Besjes, G. J.; Bylund, O. Bessidskaia; Besson, N.; Bethani, A.; Bethke, S.; Betti, A.; Bevan, A. J.; Beyer, J.; Bi, R.; Bianchi, R. M.; Biebel, O.; Biedermann, D.; Bielski, R.; Bierwagen, K.; Biesuz, N., V; Biglietti, M.; Billoud, T. R., V; Bindi, M.; Bingul, A.; Bini, C.; Biondi, S.; Birman, M.; Bisanz, T.; Biswal, J. P.; Bitadze, A.; Bittrich, C.; Bjergaard, D. M.; Black, J. E.; Black, K. M.; Blazek,
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Zeitschrift: Journal of Instrumentation
Bandnummer: 14
ISSN: 1748-0221
DOI Link: https://doi.org/10.1088/1748-0221/14/06/P06012
Verlag: IOP Publishing
Abstract:
Silicon pixel detectors are at the core of the current and planned upgrade of the ATLAS experiment at the LHC. Given their close proximity to the interaction point, these detectors will be exposed to an unprecedented amount of radiation over their lifetime. The current pixel detector will receive damage from non-ionizing radiation in excess of 10(15) 1 MeV n(eq)/cm(2), while the pixel detector designed for the high-luminosity LHC must cope with an order of magnitude larger fluence. This paper presents a digitization model incorporating effects of radiation damage to the pixel sensors. The model is described in detail and predictions for the charge collection efficiency and Lorentz angle are compared with collision data collected between 2015 and 2017 (<= 10(15) 1 MeV n(eq)/cm(2)).
Zitierstile
Harvard-Zitierstil: Aaboud, M., Aad, G., Abbott, B., Abbott, D., Abdinov, O., Abhayasinghe, D., et al. (2019) Modelling radiation damage to pixel sensors in the ATLAS detector, Journal of Instrumentation, 14, Article P06012. https://doi.org/10.1088/1748-0221/14/06/P06012
APA-Zitierstil: Aaboud, M., Aad, G., Abbott, B., Abbott, D., Abdinov, O., Abhayasinghe, D., Abidi, S., AbouZeid, O., Abraham, N., Abramowicz, H., Abreu, H., Abulaiti, Y., Acharya, B., Adachi, S., Adam, L., Bourdarios, C., Adamczyk, L., Adamek, L., Adelman, J., ...Blazek, (2019). Modelling radiation damage to pixel sensors in the ATLAS detector. Journal of Instrumentation. 14, Article P06012. https://doi.org/10.1088/1748-0221/14/06/P06012
Schlagwörter
Detector modelling and simulations II (electric fields, charge transport, multiplication and induction, pulse formation, electron emission, etc); Radiation-hard detectors; Silicon detectors; Solid state detectors; TRAPPING TIME